BDY92 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY92
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDY92
BDY92 Datasheet (PDF)
bdy92.pdf
BDY92Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 60V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in ac
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isc Silicon NPN Power Transistor BDY92DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 30-120@I = 5AFE CExcellent Safe Operating AreaHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switching-control amplifiers, powergates,switching regulators, converters, and inverters.ABSOLUTE MAXIMUM
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