BDY98 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY98
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO3
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BDY98 datasheet
bdy98.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY98 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 250V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.) @ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching regulators applications. BSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Otros transistores... BDY93-01 , BDY94 , BDY94-01 , BDY95 , BDY96 , BDY96-01 , BDY97 , BDY97-01 , BC327 , BDY99 , BEL100N , BEL100P , BEL149 , BEL187 , BEL188 , BEL2073 , BEL2233 .
History: BDX84A | 2SD1802T
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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