BDY99 Todos los transistores

 

BDY99 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY99
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 750 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDY99 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
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BDY99

isc Silicon NPN Power Transistor BDY99DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.) @ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switching regulators applications.BSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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History: NPS2906 | 2SD1924 | 2SC1003A | LBC558A | 2SA1480C | 2SC3284 | 2SD224

 

 
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