BDY99 Todos los transistores

 

BDY99 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDY99

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 750 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO3

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BDY99 datasheet

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 bdy99.pdf pdf_icon

BDY99

isc Silicon NPN Power Transistor BDY99 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 250V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.) @ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching regulators applications. BSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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History: BC876 | 2SC5343T | BDY90A | 2SD1803S

 

 

 

 

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