2N2951S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2951S
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N2951S
2N2951S Datasheet (PDF)
2n2955.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N2955 PNP SILICON TRANSISTOR SILICON PNP TRANSISTORS DESCRIPTION The UTC 2N2955 is a silicon PNP transistor in TO-3 metal case. It is intended for power switching circuits, series and shunt regulators, output stages and high fidelity amplifiers. ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing 1 2 32N2955L-T30-Y TO-3
2n2955.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors 2N2955DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h =20-70@I = -4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= -1.1V(Max)@ I = -4ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifierapplicationsABSOLUTE MAXI
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050