2N2952 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2952
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO18
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2N2952 datasheet
2n2955.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N2955 PNP SILICON TRANSISTOR SILICON PNP TRANSISTORS DESCRIPTION The UTC 2N2955 is a silicon PNP transistor in TO-3 metal case. It is intended for power switching circuits, series and shunt regulators, output stages and high fidelity amplifiers. ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing 1 2 3 2N2955L-T30-Y TO-3
2n2955.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors 2N2955 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain- h =20-70@I = -4A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -1.1V(Max)@ I = -4A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXI
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History: GET572
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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