BF176 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF176
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 225 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO106
Búsqueda de reemplazo de BF176
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BF176 datasheet
pmbfj174 pmbf175 pmbf176 pmbf177.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors Product specification April 1995 NXP Semiconductors Product specification P-channel silicon field-effect transistors PMBFJ174 to 177 DESCRIPTION Silicon symmetrical p-channel junction FETs in plastic microminiature SOT23 envelopes.They are intended for application with analogue swi
Otros transistores... BF167 , BF168 , BF169 , BF169R , BF170 , BF173 , BF174 , BF175 , TIP122 , BF177 , BF178 , BF179 , BF179A , BF179B , BF179C , BF180 , BF181 .
History: BC205A | KTD1303 | ST8509 | BF163 | BF174 | BC206A | BF166
History: BC205A | KTD1303 | ST8509 | BF163 | BF174 | BC206A | BF166
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent

