BF224JF Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF224JF
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.036 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO92
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BF224JF datasheet
bf224rev.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BF224/D RF Transistor NPN Silicon COLLECTOR BF224 1 3 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 2 Rating Symbol Value Unit 3 Collector Emitter Voltage VCEO 30 Vdc CASE 29 04, STYLE 21 Collector Base Voltage VCBO 45 Vdc TO 92 (TO 226AA) Emitter Base Voltage VEBO 4.0 Vdc Collector Current Continuous IC 50 m
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History: SPS4018A
🌐 : EN ES РУ
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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