BF370R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF370R
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO92
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BF370R Datasheet (PDF)
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR BF370RTO-92BECLow Level Amplifier Transistor.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 40 VCollector -Emitter Voltage VCEO 15 VEmitter Base Voltage VEBO 4.5 VCollector Current (Continuous) IC 100 mAPower Dissipation @ Ta
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF370NPN medium frequency transistor1999 Apr 21Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 11Philips Semiconductors Product specificationNPN medium frequency transistor BF370FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050