BF370R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF370R  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO92

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BF370R datasheet

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BF370R

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR BF370R TO-92 BEC Low Level Amplifier Transistor. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 40 V Collector -Emitter Voltage VCEO 15 V Emitter Base Voltage VEBO 4.5 V Collector Current (Continuous) IC 100 mA Power Dissipation @ Ta

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BF370R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D186 BF370 NPN medium frequency transistor Product data sheet 2004 Nov 08 Supersedes data of 1999 Apr 21 NXP Semiconductors Product data sheet NPN medium frequency transistor BF370 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector IF p

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BF370R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BF370 NPN medium frequency transistor 1999 Apr 21 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 11 Philips Semiconductors Product specification NPN medium frequency transistor BF370 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector

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