2N1021 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1021
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 230 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 95 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
2N1021 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N1016D , 2N1016E , 2N1016F , 2N1017 , 2N1018 , 2N1019 , 2N102 , 2N1020 , S9013 , 2N102-13 , 2N1021A , 2N1022 , 2N1022A , 2N1023 , 2N1024 , 2N1025 , 2N1026 .
History: 2SC289 | DTB523YM | CHDTA143EEGP | MJD148 | BSV43B | 2N722 | TI712
History: 2SC289 | DTB523YM | CHDTA143EEGP | MJD148 | BSV43B | 2N722 | TI712



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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