BF495B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF495B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO92

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BF495B datasheet

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BF495B

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BF494; BF495 NPN medium frequency transistors 1997 Jul 08 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium frequency transistors BF494; BF495 FEATURES PINNING Low current (max. 30 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage

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BF495B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL RF TRANSISTORS BF494 BF495 TO-92 Plastic Package High Voltage Video Transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL Value UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 20 V VCBO Collector Base Voltage 30 V VEBO Emitter Base Vol

Otros transistores... BF493S, BF493SP, BF494, BF494A, BF494B, BF494C, BF494D, BF495, BD222, BF495C, BF495D, BF496, BF497, BF500, BF500A, BF501, BF502