BF587 Todos los transistores

 

BF587 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF587
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BF587 Datasheet (PDF)

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BF587

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BF587

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D067BF583; BF585; BF587NPN high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF583; BF585; BF587FEATURES Low feedback capacitance.handbook, halfpageAPPLICATIONS For use in v

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History: EMD29

 

 
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