2N2999 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2999
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.075 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1400 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO72
Otros transistores... 2N2991 , 2N2992 , 2N2993 , 2N2994 , 2N2995 , 2N2996 , 2N2997 , 2N2998 , 13007 , 2N30 , 2N300 , 2N3000 , 2N3009 , 2N301 , 2N3010 , 2N3011 , 2N3012 .
History: 2N5774
History: 2N5774
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050