2N302 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N302
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 10 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
Paquete / Cubierta: TO22
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N302
2N302 Datasheet (PDF)
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3019 / 2N3020TO-39Metal Can PackageGeneral TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 80 VCollector Base Voltage VCBO 140 VEmitter Base Voltage VEBO 7.0 VCollector Current Continuous IC 1.0 APower Diss
Otros transistores... 2N3019 , 2N3019CSM , 2N3019S , 2N3019UB , 2N301A , 2N301B , 2N301G , 2N301W , 2N2222A , 2N3020 , 2N3020S , 2N3021 , 2N3022 , 2N3023 , 2N3024 , 2N3025 , 2N3026 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050