2N302 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N302

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 10 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 45

Encapsulados: TO22

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2N302 datasheet

 0.1. Size:60K  central
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2N302

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 0.2. Size:75K  cdil
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2N302

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3019 / 2N3020 TO-39 Metal Can Package General Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 80 V Collector Base Voltage VCBO 140 V Emitter Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current Continuous IC 1.0 A Power Diss

 0.3. Size:301K  microsemi
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2N302

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