BFN27 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFN27

Código: FL_FLs

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: SOT23

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BFN27 datasheet

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BFN27

PNP Silicon High-Voltage Transistors BFN 25 BFN 27 Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BFN 24, BFN 26 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BFN 25 FKs Q62702-F1066 B E C SOT-23 BFN 27 FLs Q62702-F977 Maximum Ratings

 ..2. Size:525K  infineon
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BFN27

BFN27 PNP Silicon High-Voltage Transistors Suitable for video output stages in TV sets 2 3 and switching power supplies 1 High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BFN26 (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 Type Marking Pin Configuration Package BFN27 FLs SOT23 1=B 2=E 3=C Maximum R

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