BFP621 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFP621

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO92

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BFP621 datasheet

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BFP621

BFP620 NPN Silicon-Germanium RF Transistor Preliminary Data For high gain low noise amplifier Noise Figure F = 0.65 dB at 1.8 GHz Gms=21dB at 1.8 GHz Gold metalization for high reliability 70GHz fT - Line 10dBm Input IP3 capability @ 1.95 GHz, VCE=2V, ICE=6mA ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions! Type Marking Ordering Cod

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