BFT36 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFT36

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO39

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BFT36 datasheet

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BFT36

BFT36A MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches) PNP SILICON TRANSISTOR 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) FEATURES 6.10 (0.240) FAST SWITCHING 6.60 (0.260) HIGH PULSE POWER 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. APPLICATIONS 5.08 (0.200) typ. POWER SWITCHING CIRCUITS MOTOR CONTROL 2.54 2 (0.100) 1 3 0.74

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BFT36

BFT36L Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar PNP Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar PNP Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 80V 5.08 (0.200) IC = 5A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can be

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