BFY45 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFY45

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 90 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO39

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BFY45 datasheet

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BFY45

BFY450 HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel Discrete and Microwave Semiconductor 4 3 For Medium Power Amplifiers Compression Point P-1dB =19dBm 1.8 GHz Max. Available Gain Gma = 16dB at 1.8 GHz Hermetically sealed microwave package 12 Transition Frequency fT = 20 GHz mens rounded mitter ransistor- GHz fT- Space Qualified ESA/SCC Detail Spec.

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