BFY45 Todos los transistores

 

BFY45 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFY45
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 90 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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BFY45 Datasheet (PDF)

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BFY45

BFY450HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel Discrete and Microwave Semiconductor4 3 For Medium Power Amplifiers Compression Point P-1dB =19dBm 1.8 GHzMax. Available Gain Gma = 16dB at 1.8 GHz Hermetically sealed microwave package12 Transition Frequency fT = 20 GHz mens rounded mitter ransistor- GHz fT- Space QualifiedESA/SCC Detail Spec.

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History: 2SC395A | SFT250 | DTS3704B | BC349

 

 
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