2N1029C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1029C
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO66
- Selección de transistores por parámetros
2N1029C Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N1026 , 2N1026A , 2N1027 , 2N1027A , 2N1028 , 2N1029 , 2N1029A , 2N1029B , 2SD2012 , 2N103 , 2N1030 , 2N1030A , 2N1030B , 2N1030C , 2N1031 , 2N1031A , 2N1031B .
History: 9013PLT1 | 2T652A | KT657V-2 | 2T7236B | 2SA1539 | BF119 | BDT64
History: 9013PLT1 | 2T652A | KT657V-2 | 2T7236B | 2SA1539 | BF119 | BDT64



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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