BLY87C Todos los transistores

 

BLY87C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLY87C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 16 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO61
 

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BLY87C Datasheet (PDF)

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BLY87C

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLY87CVHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLY87CIt has a 3/8" capstan envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the stud.transistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, h.f. andv.h.f

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BLY87C

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLY87CVHF power transistorAugust 1986Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLY87CIt has a 3/8" capstan envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the stud.transistor intended for use in class-A

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History: TBC850 | CTN391 | 2SC3207

 

 
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