BLY87C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLY87C

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 16 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 700 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO61

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BLY87C datasheet

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BLY87C

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLY87C VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLY87C It has a 3/8" capstan envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the stud. transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f. and v.h.f

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BLY87C

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLY87C VHF power transistor August 1986 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLY87C It has a 3/8" capstan envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the stud. transistor intended for use in class-A

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