BSP15 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSP15
Código: BT1
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: SOT89
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BSP15 datasheet
bsp15.pdf
SOT223 PNP SILICON PLANAR BSP15 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ISSUE 3 FEBRUARY 1996 T i V C i I E T T C T I D T I B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I
bsp152.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSP152 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical BSP152 D-MOS transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL, SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNI
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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