BSP15T3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSP15T3
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Paquete / Cubierta: SOT23
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BSP15T3 Datasheet (PDF)
bsp152.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP152N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP152D-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL,SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNI
bsp15.pdf
SOT223 PNP SILICON PLANARBSP15HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 3 FEBRUARY 1996 T i V C i I E T T C T I D T I BABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I
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