BSP15T3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSP15T3

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 150

Encapsulados: SOT23

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BSP15T3 datasheet

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BSP15T3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSP152 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical BSP152 D-MOS transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL, SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNI

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BSP15T3

SOT223 PNP SILICON PLANAR BSP15 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ISSUE 3 FEBRUARY 1996 T i V C i I E T T C T I D T I B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I

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