BSP16T3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSP16T3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BSP16T3

BSP16T3 Datasheet (PDF)

8.1. Size:109K motorola
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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSP16T1/DSOT-223 Package BSP16T1Motorola Preferred DeviceHigh Voltage TransistorPNP SiliconCOLLECTOR 2,4SOT223 PACKAGEPNP SILICONHIGH VOLTAGEBASETRANSISTOR1SURFACE MOUNTEMITTER 34MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit 123CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcCollectorBase Voltage

8.2. Size:115K onsemi
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BSP16T1GHigh Voltage TransistorsPNP SiliconFeatures These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantPNP SILICONHIGH VOLTAGE TRANSISTORMAXIMUM RATINGSSURFACE MOUNTRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO --300 VdcCollector-Base Voltage VCBO --350 VdcCOLLECTOR 2,4Emitter-Base Voltage VEBO --6.0 VdcCollector C

8.3. Size:112K onsemi
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