BSS54 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSS54
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: TO5
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BSS54 datasheet
pbss5440d.pdf
PBSS5440D 40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 14 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) single bipolar PNP transistor in a SOT457 (SC-74) SMD plastic package. NPN complement PBSS4440D. 1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuous collector curr
pbss5420d.pdf
PBSS5420D 20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 29 September 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4420D. 1.2 Features Very low collector-emitter saturation resistance Ultra low collect
pbss5480x.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 PBSS5480X 80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2004 Nov 08 Supersedes data of 2004 Jun 8 Philips Semiconductors Product specification 80 V, 4 A PBSS5480X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA High hFE and low VCEsat at high current operation SYMBOL PARAMETER MAX. UNI
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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