BSV17-6 Todos los transistores

 

BSV17-6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSV17-6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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BSV17-6 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:53K  philips
 bsv15 bsv16 bsv17 cnv 2.pdf pdf_icon

BSV17-6

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BSV15; BSV16; BSV17PNP medium power transistors1997 Apr 22Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BSV15; BSV16; BSV17FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)

 9.2. Size:90K  cdil
 bsv15 bsv16 bsv17.pdf pdf_icon

BSV17-6

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BSV15BSV16BSV17TO- 39ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BSV15 BSV16 BSV17 UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 40 60 80 VCollector -Emitter Voltage VCES 40 60 90 VEmitter -Base Voltage VEBO 5.0 5.0 5.0 VCollector Current (DC) IC 1.0 ABa

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History: 2N6730 | TSD2150A | 2N6124 | HSD882S | 2N975 | 2N922 | NTE270

 

 
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