BSV50G Todos los transistores

 

BSV50G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSV50G

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 12 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO18

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BSV50G datasheet

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History: BSW24 | BSW36 | ZT83 | ZTX107CL | BSV27M | BTP955J3

 

 

 


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