BSV64SM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSV64SM
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 70 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO252
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BSV64SM datasheet
bsv64smd.pdf
BSV64SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 60V IC = 5A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (0.
bsv64 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D110 BSV64 NPN medium power transistor 1997 Sep 04 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 21 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor BSV64 FEATURES PINNING High current (max. 2 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V) 1 emitter Good high curren
Otros transistores... BSV55AP , BSV55P , BSV59 , BSV60 , BSV61 , BSV62 , BSV63 , BSV64 , BC546 , BSV65 , BSV65A , BSV65B , BSV65FA , BSV65FB , BSV65RA , BSV65RB , BSV68 .
History: 2SC2177 | DTC043EUB
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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