BSV64SM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSV64SM
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BSV64SM
BSV64SM Datasheet (PDF)
bsv64smd.pdf
BSV64SMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 60V IC = 5A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26 (0.
bsv64 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D110BSV64NPN medium power transistor1997 Sep 04Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 21File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor BSV64FEATURES PINNING High current (max. 2 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V)1 emitter Good high curren
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