BSX46 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSX46
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO39
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BSX46 datasheet
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSX45; BSX46; BSX47 NPN medium power transistors 1997 Apr 23 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistors BSX45; BSX46; BSX47 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)
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Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS BSX45 BSX46 BSX47 TO-39 Metal Can Package AMPLIFIER TRANSISTORS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL BSX45 BSX46 BSX47 UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 40 60 80 V VCES Collector Emitter Voltage 80 100 120 V VEBO
Otros transistores... BSX39 , BSX40 , BSX41 , BSX44 , BSX45 , BSX45-10 , BSX45-16 , BSX45-6 , C945 , BSX46-10 , BSX46-16 , BSX46-6 , BSX47 , BSX47-10 , BSX47-16 , BSX47-6 , BSX48 .
History: MA393C | BSW44AK
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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