BSX47 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSX47
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BSX47
BSX47 Datasheet (PDF)
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BSX45; BSX46; BSX47NPN medium power transistors1997 Apr 23Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistors BSX45; BSX46; BSX47FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTORS BSX45 BSX46BSX47TO-39Metal Can PackageAMPLIFIER TRANSISTORSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BSX45 BSX46 BSX47 UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 40 60 80 VVCESCollector Emitter Voltage 80 100 120 VVEBO
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050