2N3209CSM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3209CSM
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 400 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Empaquetado / Estuche: LCC3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3209CSM
2N3209CSM Datasheet (PDF)
4.1. 2n2894 2n3209.pdf 
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4.2. 2n3209xcsm.pdf Size:25K _semelab
2N3209XCSM MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) SWITCHING TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY 0.51 ± 0.10 (0.02 ± 0.004) 0.31 rad. (0.012) APPLICATIONS 3 2 1 FEATURES • SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP 1.91 ± 0.10 (0.075 ± 0.004) A TRANSISTOR 0.31 rad. (0.012) 3.05 ± 0.13 • HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT (0.12 ± 0.005) 1.40 (0.055) PA
4.3. 2n3209x.pdf Size:24K _semelab
2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209) TRANSISTOR 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES • SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR • SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) • SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) • HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI
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