2N324 Todos los transistores

 

2N324 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N324

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 18 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 2 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 85

Empaquetado / Estuche: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N324

 

2N324 Datasheet (PDF)

1.1. 2n322 2n323 2n324.pdf Size:274K _general_electric

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1.2. 2n3244.pdf Size:11K _semelab

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2N3244 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 40V dia. IC = 1A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can

 

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 
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