2N3250CSM Todos los transistores

 

2N3250CSM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3250CSM

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: LCC3

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2N3250CSM datasheet

 8.1. Size:88K  central
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2N3250CSM

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 8.2. Size:183K  bocasemi
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2N3250CSM

Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com

 8.3. Size:208K  cdil
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2N3250CSM

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS 2N3250, A/ 2N3251,A TO-18 Metal Can Package Designed for Small Signal, General Purpose and Switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 2N3250 2N3250A DESCRIPTION SYMBOL UNIT 2N3251 2N3251A VCEO Collector Emitter Voltage 40 60 V VCBO Collector Bas

 8.4. Size:129K  microsemi
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2N3250CSM

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland. 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Tel +353 (0) 65 6840044 Fax +353 (0) 65 6822298 Website http //www.microsemi.com PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/323 DEVICES LEVELS 2N3250A 2N3251A JAN 2N3250AUB 2N3251AUB JANTX JAN

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