BUT22CF Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUT22CF

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 23 W

Tensión colector-base (Vcb): 850 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO220F

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BUT22CF datasheet

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BUT22CF

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT22B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 400V(Min)- BUT22B 450V(Min)- BUT22C High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMET

 9.2. Size:103K  inchange semiconductor
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BUT22CF

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT22BF/CF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 400V(Min)- BUT22BF 450V(Min)- BUT22CF High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PAR

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