BUT56 Todos los transistores

 

BUT56 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUT56
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 800 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TOP3
 

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BUT56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  inchange semiconductor
 but56 but56a.pdf pdf_icon

BUT56

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUT56 BUT56A DESCRIPTION With TO-220C package High voltage;high speed High power dissipation APPLICATIONS Switching mode power supply PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolut maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

 0.1. Size:214K  inchange semiconductor
 but56af.pdf pdf_icon

BUT56

isc Silicon NPN Power Transistor BUT56AFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min.)CEO(SUS)High Speed SwitchingHigh Power DissipationWith TO-220Fa Package100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching mode power supply applications.ABSOLUTE MAXIM

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History: LMBT4401LT1G

 

 
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