BUT70I Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUT70I

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 115 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 125 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TOP3

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BUT70I datasheet

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BUT70I

BUT70 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED VERY LOW SATURATION VOLTAGE AND HIGH GAIN APPLICATION 3 SWITCHING REGULATORS 2 MOTOR CONTROL 1 HIGH FREQUENCY AND EFFICENCY CONVERTERS TO-218 DESCRIPTION The BUT70 is a Multiepitaxial planar NPN transistor in TO-218 plastic package

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BUT70I

BUT70W HIGH POWER NPN TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED VERY LOW SATURATION VOLTAGE AND HIGH GAIN APPLICATION 3 2 SWITCHING REGULATORS 1 MOTOR CONTROL HIGH FREQUENCY AND EFFICENCY TO-247 CONVERTERS DESCRIPTION The BUT70W is a Multiepitaxial planar NPN transistor in TO-247 plastic pac

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