BUV48B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV48B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 1200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 250 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO218

 Búsqueda de reemplazo de BUV48B

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV48B datasheet

 ..2. Size:218K  inchange semiconductor
buv48b.pdf pdf_icon

BUV48B

 0.1. Size:215K  inchange semiconductor
buv48bfi.pdf pdf_icon

BUV48B

isc Silicon NPN Power Transistor BUV48BFI DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 600V (Min) CEO(SUS) High Current Capability Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching and industrial applications from single and three-phase mains. Absolute maximum ratings(Ta=25

 9.1. Size:308K  motorola
buv48.pdf pdf_icon

BUV48B

Order this document MOTOROLA by BUV48/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BUV48 BUV48A SWITCHMODE II Series NPN Silicon Power Transistors 15 AMPERES The BUV48/BUV48A transistors are designed for high voltage, high speed, power NPN SILICON switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for POWER TRANSISTORS line operated switchmode applica

Otros transistores... BUV47AP, BUV47B, BUV47FI, BUV47I, BUV48, BUV48A, BUV48AF, BUV48AFI, BDT88, BUV48C, BUV48CFI, BUV48CI, BUV48FI, BUV48I, BUV48T, BUV50, BUV51