BUW58 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUW58
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 115 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 400 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
BUW58 Datasheet (PDF)
buw58.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUW58DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 160V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.) @I = 15ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2N2950 | 2SC2947 | FJN5471 | BC231B | ECG238 | 2SC3157K | GET885
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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