BUW64C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW64C

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 130 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO220

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BUW64C datasheet

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BUW64C

isc Silicon NPN Power Transistors BUW64A/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min)- BUW64A CEO(SUS) = 110V(Min)- BUW64B = 130V(Min)- BUW64C High Switching Speed Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators

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BUW64C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUW64A/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 90V(Min)- BUW64A = 110V(Min)- BUW64B = 130V(Min)- BUW64C High Switching Speed Low Saturation Voltage APPLICATIONS Designed for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators and a variety of power swi

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