BUW87 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW87

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 62 W

Tensión colector-base (Vcb): 240 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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BUW87 datasheet

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
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BUW87

isc Silicon NPN Power Transistor BUW87 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 150V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regula- tors and switching control amplifiers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

 0.1. Size:205K  inchange semiconductor
 buw87a.pdf pdf_icon

BUW87

isc Silicon NPN Power Transistor BUW87A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regula- tors and switching control amplifiers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

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