BUX12A Todos los transistores

 

BUX12A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUX12A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUX12A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:63K  st
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BUX12A

BUX12HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED APPLICATIONS MOTOR CONTROL LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL1EQUIPMENT 2DESCRIPTION The BUX12 is a silicon multiepitaxial planar NPNTO-3transistor in Jedec TO-3 metal case, intended foruse in switching and linear applications in m

 9.2. Size:205K  inchange semiconductor
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BUX12A

isc Silicon NPN Power Transistor BUX12DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-High Switching SpeedHigh Current Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switching circuitsMotor controlAbsolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 300 VCBO

 9.3. Size:215K  inchange semiconductor
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BUX12A

isc Silicon NPN Power Transistor BUX12PDESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh Switching SpeedHigh Current Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switching circuitsMotor controlAbsolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 300 VCBO

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