BUX50C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUX50C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
   Paquete / Cubierta: TO39

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUX50C

BUX50C Datasheet (PDF)

9.1. Size:10K semelab
bux50smd05.pdf

BUX50SMD05Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296)0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min.3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 125V IC = 3.5A 0.127 (0.005)16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020)0.50 (0.020)All Semelab he

9.2. Size:10K semelab
bux50smd.pdf

BUX50SMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 125V IC = 3.5A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BUW49 | BCR573 | 2N5249

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050