BUX51X Todos los transistores

 

BUX51X . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUX51X
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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BUX51X Datasheet (PDF)

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BUX51X

BUX51SMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 200V IC = 3.5A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26

 9.2. Size:10K  semelab
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BUX51X

BUX51SMD05Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296)0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min.3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 200V IC = 3.5A 0.127 (0.005)16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020)0.50 (0.020)All Semelab he

Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: BUX27 | MPS1893R

 

 
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