BUX67C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUX67C

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W

Tensión colector-base (Vcb): 375 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO66

 Búsqueda de reemplazo de BUX67C

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUX67C datasheet

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
 bux67 bux67a bux67b bux67c.pdf pdf_icon

BUX67C

isc Silicon NPN Power Transistors BUX67/A/B/C DESCRIPTION Contunuous Collector Current-I = 2A C Power Dissipation-P =35W @T = 25 D C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 2.5V(Max)@ I = 1A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-speed switching and linear amplifier appli- cation f

 9.1. Size:158K  inchange semiconductor
 bux67 a b c.pdf pdf_icon

BUX67C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX67/A/B/C DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 2A Power Dissipation-PD=35W @TC= 25 Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= 2.5V(Max)@ IC = 1A APPLICATIONS Designed for high-speed switching and linear amplifier appli- cation for high-voltage operational amplifiers, s

Otros transistores... BUX65, BUX66, BUX66A, BUX66B, BUX66C, BUX67, BUX67A, BUX67B, 2SB817, BUX67D, BUX69, BUX70, BUX71, BUX72, BUX73, BUX74, BUX75