BUX82-5 Todos los transistores

 

BUX82-5 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUX82-5
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 375 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUX82-5 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:84K  inchange semiconductor
 bux82 83.pdf pdf_icon

BUX82-5

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min)-BUX82 = 450V(Min)-BUX83 High Switching Speed APPLICATIONSDesigned for use as high-speed power switch at high voltage. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBUX82 800VCES Collec

 9.2. Size:205K  inchange semiconductor
 bux82 bux83.pdf pdf_icon

BUX82-5

isc Silicon NPN Power Transistors BUX82/83DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)-BUX82(BR)CEO= 450V(Min)-BUX83High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as high-speed power switch at highvoltage.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL

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History: BDW64A | 2SB948 | 2SA1509 | 40537 | LDTC115TET1G | 2N6416 | 2SC2619

 

 
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