BUY49S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUY49S
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUY49S
BUY49S Datasheet (PDF)
buy49c.pdf
BUY49SSILICON NPN TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR FAST SWITCHING SPEED LOW COLLECTOR EMITTER SATURATIONAPPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING DESCRIPTION The BUY49S is a silicon epitaxial planar NPNtransistor in jedec TO-39 package. It is used inhigh-current switching applications up to 3 A.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RA
buy49p.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUY49PDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V(Min)CEO(SUS)High Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volt
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