2N3410 Todos los transistores

 

2N3410 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3410
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO77
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N3410 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:304K  fairchild semi
 2n3416 2n3417.pdf pdf_icon

2N3410

2N34162N3417B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 50 V

 9.2. Size:33K  fairchild semi
 2n3415.pdf pdf_icon

2N3410

2N3415B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsV Collector-Emitter Voltage 25 VCEOV Collector-Base Voltage 25 VCBOV

 9.3. Size:58K  central
 2n3414 2n3415 2n3416 2n3417 mps3414 mps3415 mps3416 mps3417.pdf pdf_icon

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:48K  microelectronics
 2n3414.pdf pdf_icon

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History: BC857M | 2SD1130

 

 
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