CTP1036 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CTP1036
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 60 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1.5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 85
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CTP1036 datasheet
ctp10p095.pdf
nvert CTP10P095 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an
ctp10n066.pdf
nvert CTP10N066 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 100V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an
Otros transistores... CTN637 , CTN638 , CTN639 , CTN640 , CTP1032 , CTP1033 , CTP1034 , CTP1035 , 9014 , CTP1104 , CTP1108 , CTP1109 , CTP1111 , CTP1320 , CTP1330 , CTP1340 , CTP1350 .
History: H9012 | FMMT3904
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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