2N3554 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3554
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO5
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2N3554 Datasheet (PDF)
2n3553.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET2N3553Silicon planar epitaxialoverlay transistor1995 Oct 27Product specificationSupersedes data of October 1981File under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationSilicon planar epitaxial2N3553overlay transistorAPPLICATIONS DESCRIPTION The 2N3553 is intended for use in VHF and UHF The device is a s
2n3558.pdf
2N3558Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = dia.IC = 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3 can b
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Liste
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