ED1802M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ED1802M
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 170
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de ED1802M
ED1802M Datasheet (PDF)
ed1802.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186ED1802PNP general purpose transistor1999 Apr 27Product specificationSupersedes data of 1997 May 27Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor ED1802FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 25 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector
Otros transistores... ED1801 , ED1801K , ED1801L , ED1801M , ED1801N , ED1802 , ED1802K , ED1802L , 2SC2482 , ED1802N , ED2502 , ED592 , ED8050 , ED8050C , ED8550 , ED8550C , EFT212 .
History: MPS3391 | D44VM2 | S1272 | 3DD4202BD | 2SB1296U | DZT955 | RTGN226AP
History: MPS3391 | D44VM2 | S1272 | 3DD4202BD | 2SB1296U | DZT955 | RTGN226AP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550