EFT212 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EFT212
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO3
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EFT212 datasheet
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Otros transistores... ED1802M , ED1802N , ED2502 , ED592 , ED8050 , ED8050C , ED8550 , ED8550C , BD136 , EFT213 , EFT214 , EFT250 , EFT306 , EFT307 , EFT308 , EFT311 , EFT312 .
History: L8050PLT1G | BDT29C | 2SA1537 | 2N1703 | 2N5691 | ZT3440 | ZT60
History: L8050PLT1G | BDT29C | 2SA1537 | 2N1703 | 2N5691 | ZT3440 | ZT60
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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