EFT323 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EFT323
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 24 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
Paquete / Cubierta: TO1
- Selección de transistores por parámetros
EFT323 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... EFT311 , EFT312 , EFT313 , EFT317 , EFT319 , EFT320 , EFT321 , EFT322 , 2N5401 , EFT331 , EFT332 , EFT333 , EFT341 , EFT342 , EFT343 , EFT367 , EFT373 .
History: SE5023 | 2SC1674L | BD13003B | KT8175A-1 | UMB6N | SD451 | TIP35AF
History: SE5023 | 2SC1674L | BD13003B | KT8175A-1 | UMB6N | SD451 | TIP35AF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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